北京
金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“减少12寸红磷硅单晶外延层错的装置、方法、产品及单晶炉”的专利，公开号CN120193325A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明属于半导体材料加工设备技术领域，具体涉及一种减少12寸红磷硅单晶外延层错的装置、方法、产品及单晶炉，方法包括：相比于传统减少20%一次性投入石英坩埚内的多晶硅与红磷的量，多晶硅与所述红磷的质量比为1000g:（6至9）g，对于投入后的多晶硅和红磷加热，熔化得到熔体；将籽晶缓慢下降至熔体表面，使籽晶开始生长；将冷却水注入第一进液孔和第二进液孔，注入第一进液孔的冷却水依次从第一排液孔排出，在第一液冷套的内层与所述隔离板之间形成第一螺旋通道，注入第二进液孔的冷却水依次从第二排液孔排出，在第二液冷套的外层与所述隔离板之间形成第二螺旋通道；在双层液冷组件的冷却作用下，拉制籽晶，得到的单晶硅棒的外延层错数量减少。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息286条，此外企业还拥有行政许可24个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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