北京
金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“半导体器件刻蚀方法、射频模组及刻蚀机”的专利，公开号CN120199685A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件刻蚀方法、射频模组及刻蚀机，该方法包括：利用第一刻蚀气体刻蚀第一半导体器件上的氮化硅层，以使第一半导体器件的氮化硅层与第二半导体器件的氮化硅层厚度不同；获取第二刻蚀气体，并根据第一半导体器件上剩余的氮化硅层厚度以及第二半导体器件的氮化硅层厚度控制第二刻蚀气体的刻蚀速率；利用第二刻蚀气体基于刻蚀速率刻蚀第一半导体器件上剩余的氮化硅层和第二半导体器件上的氮化硅层，以使在第一半导体器件侧面和第二半导体器件侧面形成不同的侧墙，从而在不同半导体器件的侧面上形成不同的侧墙，有效平衡了不同半导体器件的性能，提高了由不同半导体器件构成的射频模组的整体性能。
天眼查资料显示，江苏卓胜微电子股份有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本53454.7532万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏卓胜微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可40个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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