北京
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，江西万年晶半导体有限公司申请一项名为“一种先介质GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120166730A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种先介质GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，属于先介质层制备技术领域，方法包括：清洗并干燥GaN HEMT垂直结构外延片，钝化SiN阻挡层，定位标记后；光刻刻蚀形成源极窗口和电极接触区域，蒸镀形成源极电极；光刻离子注入形成芯片隔离区域；刻蚀表面SiN后，光刻出栅极电极接触区域并蒸镀形成栅极电极；生长钝化层，刻蚀源极和栅极的导电通道，蒸镀得到场板；深刻蚀开孔后，在底部光刻出漏极电极接触区域并蒸镀形成漏极电极；在底部和顶部分别生长钝化层，光刻出电极引出区域，得到先介质GaN HEMT垂直结构芯片。
天眼查资料显示，江西万年晶半导体有限公司，成立于2023年，位于上饶市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西万年晶半导体有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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