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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成双层硬掩模的方法和使用双层硬掩模的相关沉积方法”的专利，公开号CN120158722A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，公开了形成双层硬掩模的方法以及使用这种双层硬掩模形成半导体结构的方法。所公开的方法包括执行第一循环沉积过程以形成第一硬掩模层，以及执行第二循环沉积过程以直接在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层。该方法还包括使用双层硬掩模形成CMOS结构。
本文源自：金融界
作者：情报员
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