北京
金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，芯百特微电子（无锡）有限公司申请一项名为“一种基于低压CMOS工艺实现的射频功率放大电路”的专利，公开号CN120128113A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种基于低压CMOS工艺实现的射频功率放大电路，其可使得低压CMOS器件不再受限于高功率射频功率放大器的应用，能够避免击穿风险，且成本低；包括信号放大输出模块、防击穿模块；所述信号放大输出模块，与信号输入端RFIN、信号输出端RFOUT均相连接，用于将信号输入端RFIN输入的射频信号进行功率放大，并通过信号输出端RFOUT进行输出；所述信号放大输出模块包括MOS管M1、M2，并通过MOS管M1、M2形成共源共栅结构；所述信号输入端RFIN与所述MOS管M2的栅极连接，所述信号输出端RFOUT与所述MOS管M1的漏极端连接；所述防击穿模块，与电平输入端IN、信号放大输出模块均相连接，用于根据电平输入端IN的电平信号，对所述信号放大输出模块进行防击穿保护。
天眼查资料显示，芯百特微电子（无锡）有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1788.1578万人民币。通过天眼查大数据分析，芯百特微电子（无锡）有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息6条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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