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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，肖特基LSI公司申请一项名为“衬底上场效应晶体管与肖特基二极管的集成”的专利，公开号CN120130135A，申请日期为2023年09月。
专利摘要显示，本申请涉及将场效应晶体管(FET)和肖特基势垒二极管(SBD)集成在衬底上并形成集成的平面半导体装置。在所述衬底上形成P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和P型SBD。所述P型SBD是通过接合P型半导体和第一阻挡金属而形成。在形成所述SBD的所述P型半导体的第一部分时，同时地建立所述PMOS晶体管的P型沟道的掺杂浓度。在所述衬底上同时地形成所述PMOS晶体管的扩展漏极结构以及所述P型半导体的第二部分。同时地形成所述PMOS晶体管的所述扩展漏极结构以及所述P型SBD的所述P型半导体的所述第一部分和所述第二部分的不同的硅化物接触表面。
本文源自金融界
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