31座“名山”引爆全球半导体圈？不用EUV极紫外光，靠得是什么？

展会现场：

31座“名山”引爆全球半导体圈？

2025年3月的上海SEMICON展会，深圳新凯来的展台被围得水泄不通。

一位荷兰工程师举着显微镜头，反复核验“阿里山”ALD设备的参数面板，喃喃自语：“±0.3Å的膜厚控制？这不可能……”

不远处，东京电子的高管团队面色凝重——新凯来以峨眉山外延沉积、武夷山刻蚀、阿里山原子层沉积等31款“名山系列”设备，首次实现半导体制造全流程国产化覆盖。而最让外媒咋舌的，是其宣称的5nm DUV光刻技术：不用EUV极紫外光，仅靠深紫外光源叠加自研算法，竟突破物理极限。

技术破壁：DUV+SAQP的“土法炼钢”

新凯来5nm方案的颠覆性在于绕开EUV封锁：

• 自对准四重成像（SAQP）：通过四次图形曝光将DUV光刻精度提升3倍，硬生生“挤”出5nm线宽；
• AI实时补偿系统：每秒分析5000组等离子体数据，动态调节工艺参数，将良率从35%拉升至85%；
• 固态深紫外激光器：体积比传统光源缩小40%，能耗骤降70%，彻底摆脱稀有气体依赖。

“就像用算盘打赢超级计算机，”一位参展的德国工程师比喻，“他们用软件补足了硬件差距。”

产业链暗战：从“螺丝钉”到生态链

外媒拆解新凯来设备时发现更震撼的细节：

• 100%中文标号零部件：真空泵螺纹规格、电路板焊点均符合中国国标，连一颗螺丝钉都找不到进口痕迹；
• 238家本土企业协同：新莱应材供应超高纯气体管路，奥普光电提供物镜组，凯美特气攻克光刻气体纯度99.999999%；
• “铁三角”闭环验证：华为海思设计芯片→中芯国际试产反馈→新凯来72小时优化设备，将国际通行的18个月验证周期压缩至6个月。

日本经济新闻直呼：“中国建起半导体设备的‘防水墙’。”

全球震荡：巨头的自救与误判

新凯来引发的连锁反应远超预期：

• ASML连夜降价：EUV光刻机报价跳水25%，工程师私下承认“中国进度比预估快5年”；
• 应用材料股价暴跌：单日市值蒸发12%，华尔街报告哀叹“东方设备性价比碾压垄断红利”；
• 技术路线之争：当国际巨头死磕EUV光源时，新凯来用“非光学路径”开辟新战场，如：选择性沉积、多重曝光。

台积电某技术主管在领英发文：“SAQP方案虽增加65%成本，但让中国获得自主迭代的跳板——这才是最可怕的。”

冷静视角：狂欢下的技术鸿沟

尽管突破振奋人心，行业内部仍保持清醒：

• 量产稳定性存疑：实验室85%良率≠产线稳定性，SAQP工艺的复杂度可能导致实际成本飙升；
• 光源功率短板：新凯来DUV光源仅70mW，远低于ASML的250mW，影响高阶制程效率；
• 材料卡脖子未解：高端光刻胶国产化率仍不足10%，部分特种气体依赖日美供应链。

中科院微电子所研究员指出：“这是从0到1的胜利，但从1到100需要十年冷板凳。”

重新定义“创新”的方程式

当外媒镜头聚焦于新凯来展台的8K演示屏时，很少有人注意到后台工程师的电脑——满屏中文编程界面中，一行注释格外醒目：“用我们的山，筑他们的城。”

这场技术突围的本质，并非对国际巨头的简单替代，而是用全产业链协同+非对称创新，在EUV封锁墙外犁出新赛道。正如半导体教父张汝京所言：“中国芯的真正崛起，不在弯道超车，而在开凿新隧道。”

新凯来的31座“名山”，恰是隧道尽头的光。