台积电2nm晶圆价格突破3万美元 SRAM良率达90%

过去几年，台积电稳步提高其最先进半导体工艺节点的价格——以至于一项分析表明，单个晶体管的成本十多年来一直没有下降。受关税和开发成本上升推动，价格进一步上涨，这强化了摩尔定律已然失效的观念。

据《商业时报》报道，台积电即将推出的 N2 2nm 半导体每片晶圆的成本将达到 3 万美元，比该公司的 3nm 芯片高出约 66%。预计未来节点的成本将更高，而且很可能只提供给最大的制造商。

台积电以建设2纳米制程工厂的巨额成本（最高可达7.25亿美元）为由，为这些涨价提供了合理性。据《联合日报》报道，尽管价格上涨，但预计苹果、AMD、高通、博通和英伟达等主要厂商仍将在年底前下单，这有可能使台积电位于亚利桑那州的2纳米制程工厂达到满负荷生产。

不出所料，苹果将率先采用。预计明年iPhone 18 Pro搭载的 A20 处理器将是首款基于台积电 N2 工艺的芯片。英特尔 Nova Lake 处理器（面向台式机，甚至可能是高端笔记本电脑）也将采用 N2 工艺，预计将于明年推出。

此前有报道显示，台积电 2 纳米制程的良率去年已达到 60%，此后不断提升。最新数据显示，256Mb SRAM 的良率现已超过 90%。试产工作可能已启动，并计划于今年晚些时候开始量产。

随着基于 2nm 的设计的流片量超越同一开发阶段的先前节点，台积电的目标是到 2025 年底生产数万片晶圆。

台积电还计划在明年下半年推出N2P和N2X，以延续N2的领先优势。预计N2P在相同功耗水平下性能将比N3E提升18%，在相同速度下能效将提高36%，逻辑密度也将显著提升。N2X计划于2027年量产，其最高时钟频率将提高10%。

随着半导体尺寸不断缩小，漏电问题日益凸显。台积电的 2nm 节点将采用全栅 (GAA) 晶体管架构解决这一问题，从而实现更精确的电流控制。

2nm 之后是埃时代，台积电将采用背面供电技术，进一步提升性能。未来工艺节点，例如 A16（1.6nm）和 A14（1.4nm），每片晶圆的成本可能高达 4.5 万美元。

与此同时，英特尔的目标是超越台积电的路线图。该公司最近开始风险生产其 A18 节点，该节点也具有环绕栅极和背面供电技术。这些芯片预计将于今年晚些时候在英特尔即将推出的代号为Panther Lake的笔记本电脑 CPU 中首次亮相。