北京
来源：环球网
【环球网科技综合报道】6月2日消息，据日经亚洲报道，软银集团与英特尔公司正携手开展一项重要合作，共同开发一款全新的 AI 专用内存芯片，这款芯片有望在耗电量方面实现大幅降低。
双方计划设计的是一种新型堆叠式 DRAM 芯片，该芯片采用了不同于现有高带宽内存（HBM）的布线方式，预计可将电力消耗减少约一半。这一创新设计将有效提升芯片的能效比，对于降低 AI 数据中心的运营成本以及推动绿色计算具有意义。
负责该研发项目的是新成立的公司 Saimemory。据了解，项目所采用的技术源自英特尔，同时结合了东京大学等日本高校的专利成果。Saimemory 将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责。这种分工模式有助于充分发挥各方的优势，提高研发效率。
关于项目的时间规划，目标是在两年内完成原型设计，之后将对是否投入量产进行评估，力争在 2020 年代实现商业化。在资金投入方面，整体投资预计达到 100 亿日元（现汇率约合 5 亿元人民币）。其中，软银作为主要投资方，出资 30 亿日元（现汇率约合 1.5 亿元人民币）。目前，日本理化学研究所与神港精机也在考虑从资金或技术方面参与到该项目中。此外，项目方还计划申请政府支持，以进一步推动项目的顺利开展。
软银对这款新型存储器有着明确的应用规划，希望将其用于自身的 AI 训练数据中心。随着 AI 在企业管理等高阶领域的应用日益深入，市场对高性能、高效率数据处理能力的需求持续提升。而这款新型芯片凭借其低功耗、高效能的特点，有望以更低的成本构建高质量的数据中心，满足不断增长的 AI 计算需求。（纯钧）
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