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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，昆明理工大学、国网上海能源互联网研究院有限公司、哈尔滨众达电子有限公司取得一项名为“一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法”的专利，授权公告号CN111747377B，申请日期为2020年07月。
本文源自：金融界
作者：情报员
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