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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器元件的制备方法”的专利，公开号CN120035134A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本公开提供一种存储器元件的制备方法。该方法包括：形成一位元线结构在一半导体基底上方；形成一第一氮化物间隙子、一第二氮化物间隙子和一第一氧化物间隙子在该位元线结构的一侧壁上，其中该第一氮化物间隙子与该位元线结构直接接触，并且该第一氧化物间隙子位于该第一氮化物间隙子和该第二氮化物间隙子之间；形成邻近该第二氮化物间隙子的一下电容器接触件；形成一上电容器接触材料在该下电容器接触件上方；蚀刻该上电容器接触材料、该第一氮化物间隙子、该第二氮化物间隙子和该第一氧化物间隙子以形成一电容器开口；经由该电容器开口移除该第一氧化物间隙子以形成一第一间隙在该第一氮化物间隙子和该第二氮化物间隙子之间。
本文源自：金融界
作者：情报员
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