北京
金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“凹槽的刻蚀方法”的专利，公开号CN120015617A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种凹槽的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有第一硬掩模层，第一硬掩模层上形成有第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层的构成材料不同；在第二硬掩模层上覆盖光阻，通过第一掩模板进行曝光，进行显影后去除第一目标区域的光阻；进行刻蚀，直至第一目标区域的第一硬掩模层暴露，在第二硬掩模层中形成第一凹槽，进而去除光阻；在第二硬掩模层上覆盖光阻，通过第二硬掩模层进行曝光，进行显影后去除第二目标区域的光阻，从俯视角度观察，第二目标区域与第一目标区域具有交叠的区域；进行刻蚀，直至交叠区域的衬底暴露，在第一硬掩模层中形成第二凹槽；进行刻蚀，在第二凹槽下方的衬底中形成第三凹槽。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目866次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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