北京
金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“隔离结构、半导体器件及隔离结构的制造方法”的专利，公开号CN119997573A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种隔离结构、半导体器件及隔离结构的制造方法，所述隔离结构包括：埋藏区，位于衬底中；超结主体，包括至少一层第二导电类型区和至少一层第一导电类型区，所述第二导电类型区和第一导电类型区在所述埋藏区上沿竖向交替排列，且所述超结主体最靠近所述埋藏区的结构为一第二导电类型区；第一阱区，位于所述埋藏区上，所述第一阱区将所述超结主体包围；第二导电类型层，位于所述超结主体上，所述第二导电类型层中被所述第一阱区包围的区域用于形成器件主体；第二阱区，位于所述衬底上、所述第一阱区的外侧。本发明通过在埋藏区和第二导电类型层之间，形成第二导电类型区和第一导电类型区交替排列的超结结构，能够获得更高的隔离耐压。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目3895次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1433条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
