北京
金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，长电集成电路（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN119993839A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成初始键合结构，初始键合结构的尺寸小于衬底的尺寸；周向去除部分初始键合结构以形成台阶结构，剩余的初始键合结构构成目标键合结构；形成连续溅射层，连续溅射层覆盖台阶结构的顶面、目标键合结构的顶面及衬底暴露的顶面。上述半导体结构的制备方法，由于周向去除部分初始键合结构之后，所形成的台阶结构减小了初始键合结构与衬底之间的高度落差，使得所形成的目标键合结构与衬底之间的衔接更流畅，从而在形成连续溅射层时，能够实现对台阶结构的顶面、目标键合结构的顶面及衬底暴露的顶面的连续覆盖，避免了连续建设层的断裂。
天眼查资料显示，长电集成电路（绍兴）有限公司，成立于2019年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，长电集成电路（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息205条，此外企业还拥有行政许可9个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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