北京
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金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，SK恩普士有限公司申请一项名为“抛光垫及其制备方法”的专利，公开号CN119927793A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明的抛光垫包括顶垫，其与晶片接触以进行抛光；和子垫，其位于顶垫一侧，其中，在用于氧化硅层的CMP工艺中的抛光速率曲线中距离晶片中心95mm处的抛光速率大于距离晶片中心85mm处的抛光速率。结果是，抛光速率和抛光平整度都得到了提高，特别是抛光垫边缘的抛光速率曲线特性优异。
本文源自：金融界
作者：情报员
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