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金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，西部数据技术公司申请一项名为“具有牺牲层的磁记录介质和最小化磁头到介质的间距的对应蚀刻工艺”的专利，公开号CN119943098A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，公开了各种装置、系统、方法和介质以提供包括牺牲层的热辅助磁记录(HAMR)介质和最小化磁头到介质的间距的对应蚀刻工艺。该介质可包括该牺牲层和封盖层，其中这些层中的每一者被蚀刻以降低粗糙度。该牺牲层被配置为确保允许选择性蚀刻的蚀刻速率并且可沉积在该封盖层上，并且在蚀刻之后可沿着该封盖层的晶粒边界保留。该牺牲层的剩余部分可形成不连续层，包括沿着该封盖层的晶粒边界定位的层段。该牺牲层可由与该封盖层的材料或沉积在经蚀刻封盖层上的保护层的材料不同的非磁性材料制成。
本文源自：金融界
作者：情报员
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