北京
金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法”的专利，公开号CN119947203A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，位于衬底上，掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结隔离结构，包括第一埋藏区和与第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，第一埋藏区位于第一掺杂区上，第二埋藏区位于第一埋藏区上，第二埋藏区的掺杂浓度小于第一埋藏区的掺杂浓度；第二掺杂区，位于第二埋藏区上；器件主体区，位于第二掺杂区中。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。且由于设置了第一掺杂区，利用基区扩展效应，可以使得有效基区的宽度更宽，从而有效降低流入衬底的寄生漏电。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目3870次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1430条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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