北京
金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件及电子设备”的专利，公开号CN119922955A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括：半导体衬底、第一阻挡层、金属硅化物层、栅极堆叠结构及栅侧墙，半导体衬底包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区，第一阻挡层位于源极区和漏极区上，金属硅化物层覆盖于源极区和漏极区上的第一阻挡层背向半导体衬底的一侧。源极区和漏极区分别形成有凹槽，凹槽中填充有第一半导体材料。第一阻挡层包括掺杂有第一掺杂离子的第二半导体材料，金属硅化物层的材料的晶格结构与第一半导体材料的晶格结构不同。由此设置，通过在金属硅化物层与第一半导体材料之间设置第一阻挡层，能够避免第一半导体材料与金属硅化物层直接接触产生材料团聚和析出，提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4094113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1535个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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