北京
金融界 2025 年 5 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市宏芯时代电子科技有限公司申请一项名为“一种用于改善传统沟槽 MOSFET 漏电问题的屏蔽栅工艺方法”的专利，公开号 CN119922934A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体功率器件制造技术领域，具体为一种用于改善传统沟槽 MOSFET 漏电问题的屏蔽栅工艺方法。包括以下七个步骤:1)提供带深沟槽的衬底，2)通过热氧化工艺和 CVD 成膜形成深沟槽保护层，3)底层多晶硅成膜加刻蚀，4)保护层刻蚀，5)底层多晶硅刻蚀，6)栅极氧化层和栅极多晶硅形成，7)参杂离子阱和源形成。通过优化制造工艺，增强栅极底部氧化层厚度，提高耐压性能和可靠性，均匀电场分布，降低导通电阻，优化散热性能，显著提升沟槽 MOSFET 的整体性能。所有步骤采用成熟半导体工艺，参数可控，确保每批次器件性能一致，提高生产效率和经济性。
天眼查资料显示，深圳市宏芯时代电子科技有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市宏芯时代电子科技有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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