北京
金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，重庆平创半导体研究院有限责任公司申请一项名为“碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN119902047A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种碳化硅功率模块测试方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体测试技术领域。该方法包括：对待测试产品进行特性参数检测，得到第一特性参数，按预测策略对待测试产品进行模拟工况测试，对经过模拟工况测试的待测试产品进行特性参数检测，得到第二特性参数，将第一特性参数以及第二特性参数进行对比，确定出待测试产品是否正常。通过对待测试产品进行模拟工况测试，对待测试产品测试前后的特性参数进行对比，从而实现碳化硅功率模块产品的初始缺陷快速筛查，有效提升碳化硅功率模块产品的服役稳定性和可靠性，降低产品服役过程因初始缺陷导致失效的风险。
天眼查资料显示，重庆平创半导体研究院有限责任公司，成立于2019年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12321万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平创半导体研究院有限责任公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息159条，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可16个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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