北京
分享至
金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，陶氏东丽株式会社；陶氏环球技术有限责任公司申请一项名为“半导体制造用导电柱模块前体、半导体制造用导电柱模块、半导体或半导体前体及其制造方法”的专利，公开号CN119908026A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，在现有技术中，无法获得一种不使用光刻技术的半导体制造用导电柱模块，该半导体制造用导电柱模块可以用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDL优先)封装中形成再配置层(RDL)。本发明提供一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体或半导体前体及其制造方法，所述半导体制造用导电柱模块前体具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构，且具有对基板的足够的密合性、应力缓和性和耐久性。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
