北京
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金融界 2025 年 5 月 1 日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于提高 3D NAND 单元中的迁移率及导通电流的整合方法”的专利，公开号 CN119896062A，申请日期为 2023 年 9 月。
专利摘要显示，在本文中提供的本公开内容的实施方式包括用于形成改良三维(3D)存储器结构/单元的设备及形成改良三维(3D)存储器结构/单元的方法，所述改良三维(3D)存储器结构/单元包括通道，所述通道包括多晶硅通道，所述多晶硅通道已被处理以钝化及移除在 3D 存储器装置(诸如 3D NAND 装置)的通道结构中发现的缺陷。在一些实施方式中，在通道结构上执行的处理利用含氟层的沉积，所述含氟层包括氟(F)原子的浓度，使用至少一个退火步骤将氟(F)原子接着驱使进入多晶硅通道层，所述至少一个退火步骤在含氢或氘的环境中执行以使多晶硅层装载有氟(F)原子和氢(H)原子。
本文源自：金融界
作者：情报员
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