北京
金融界2025年4月30日消息，国家知识产权局信息显示，浙江晶盛光子科技有限公司申请一项名为“一种背接触电池及其制备方法”的专利，公开号CN119894159A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种背接触电池及其制备方法，其中背接触电池包括基底，基底具有相对的第一面和第二面，第一面设有交替分布的N型区域、隔离区域和P型区域，隔离区域位于N型区域和P型区域之间；第一掺杂层，位于P型区域；隔离层，位于隔离区域；第二掺杂层，位于N型区域；透明导电层，覆盖在第一掺杂层、隔离层和第二掺杂层上，透明导电层设有贯穿的隔离槽，隔离槽对应隔离层设置；电极，分别设置在覆盖在第一掺杂层和第二掺杂层的透明导电层上。该背接触电池通过设置透明导电层，避免了电极与第一掺杂层和第二掺杂层的直接欧姆接触，因此在可以在导电层上使用便宜的金属制作电极，可以降低电池的成本。
天眼查资料显示，浙江晶盛光子科技有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶盛光子科技有限公司专利信息92条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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