北京
金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统”的专利，公开号CN119894003A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件稳定性较差的问题。半导体器件的制备方法包括：形成存储堆叠结构，存储堆叠结构包括叠层结构和多个沟道结构，多个沟道结构沿叠层结构的层叠方向贯穿叠层结构，每个沟道结构包括沟道部。在叠层结构沿层叠方向的一侧表面形成多个条形导电部，多个条形导电部沿相交于层叠方向的第一方向延伸，且多个条形导电部在第二方向上间隔排布。去除至少一个条形导电部中的部分，使条形导电部中保留的部分构成沿第一方向间隔排布的多个沟道接触部，沟道接触部与沟道部接触。上述半导体器件应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1380次，财产线索方面有商标信息972条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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