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金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP 私人控股有限公司申请一项名为“用于形成金属硅酸盐膜的方法和半导体装置结构”的专利，公开号 CN119866041A，申请日期为 2019 年 11 月。
专利摘要显示，提供了通过循环沉积工艺在反应室中的衬底上形成金属硅酸盐膜的方法。所述方法可以包括：在引入所述反应室之前，将过氧化氢前体的温度调节至低于 70℃的温度；以及通过执行循环沉积工艺的至少一个单位沉积循环，将所述金属硅酸盐膜沉积在所述衬底上。还提供了包括由本公开的方法沉积的金属硅酸盐膜的半导体装置结构。
本文源自：金融界
作者：情报员
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