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近日台积电（TSMC）举办了2025年北美技术论坛，公布了下一代A14制程工艺，计划2028年投产，目前的开发进展顺利，良品率比预期的要高。同时台积电还透露了更多3nm制程节点和CoWoS封装的新计划，另外还有涉及智能手机、汽车和物联网等领域的相关技术。
N3P是N3E的改进版本，保留了设计规则和IP兼容性，在相同能耗下带来5%的性能提升，或者相同频率下降低了5%至10%的功耗，另外为具有典型逻辑、SRAM 和模拟模块组合的设计提供了4%的晶体管密度提升。N3P已经在去年末量产，为主要客户构建相关的产品。
在N3P之后，台积电还会持续进行优化工作，推出N3X，预计今年下半年量产。与N3P相比，N3X有望在相同能耗下带来5%的性能提升，或者相同频率下降低了7%的功耗。N3X另外一个主要优势是支持1.2V的电压，有利于那些追求高频率高性能的芯片。
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与此同时，台积电也在推进CoWoS封装技术的开发，以满足人工智能对更多逻辑芯片和高带宽内存的需求，计划2027年量产9.5倍标线尺寸的CoWoS封装，将12个或更多HBM堆栈与其逻辑技术集成在一个封装中。继2024年展示TSMC-SoW技术后，台积电将推出基于CoWoS的产品SoW-X，旨在创建一个晶圆大小的系统，其计算能力是当前CoWoS解决方案的40倍，计划2027年实现。
台积电还会针对边缘设备对高速、低延迟无线连接的需求，推出新一代射频技术N4C RF，计划2026年第一季度开始投入风险生产。与N6RF+相比，N4C RF的功耗和面积减少了30%。高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车（AV）对计算能力提出了严苛的要求，为此台积电以N3A来满足客户。物联网应用正在承担更多的计算任务，超低功耗N6e工艺已投入生产，接下来还会有N4e工艺
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