北京
金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种提高激光环切效果的方法”的专利，公开号CN119839466A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种提高激光环切效果的方法，包括：S1：提供背面形成有taiko环的晶圆，所述晶圆被放置在承载盘上；S2：对所述晶圆进行环切工艺，所述环切工艺包括：S21：使用第一激光束切割所述晶圆，直到切透所述晶圆，并形成第一切割道；S22：使用与所述第一激光束同心的第二激光束清理所述第一切割道；其中，所述第二激光束的光斑直径大于所述第一激光束，功率小于所述第一激光束。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中由于切割道中硅屑残留导致去环时晶圆产生裂纹的问题。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2908次，专利信息1593条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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