全球最快闪存问世，写入速度惊人

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这可能会改变我们对闪存的看法。

上海复旦大学的研究团队开发出一款超高速皮秒级非易失性存储器，为闪存性能树立了新的标杆。皮秒级存储器究竟是什么？它指的是能够在千分之一纳秒或万亿分之一秒内读写数据的存储器。

新开发的芯片名为“PoX”（相变氧化物），能够以 400 皮秒的速度进行切换，大大超越了之前每秒 200 万次操作的世界纪录。

传统的 SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）可以在 1 到 10 纳秒的时间内写入数据。然而，它们具有易失性，这意味着一旦电源关闭，所有存储的数据都会丢失。

另一方面，固态硬盘 (SSD) 和 USB 驱动器中使用的闪存是非易失性的，因此即使断电也能保留数据。缺点是它的速度要慢得多，通常需要几微秒到几毫秒的时间。这种速度限制使得闪存不适合现代人工智能 (AI) 系统，因为这些系统通常需要在实时处理过程中几乎即时地移动和更新大量数据。

由于 PoX 是一种非易失性存储器，因此它在空闲时无需电源即可保存数据。它结合了极低的能耗和超快的皮秒级写入速度，有助于消除 AI 硬件中长期存在的内存瓶颈。目前，AI 硬件的大部分能耗都用于移动数据，而不是处理数据。

复旦大学周鹏教授团队彻底重构了闪存的结构，不再使用传统的硅，而是采用了二维的狄拉克石墨烯，这种材料能够让电荷快速自由地移动。

他们通过调整内存通道的高斯长度进一步完善了设计，从而创造出一种被称为“二维超注入”的现象。这使得电荷能够以极快且几乎无限的速度流入内存的存储层，从而有效地规避了传统内存面临的速度限制。

周鹏教授在接受采访时表示：“通过利用人工智能算法优化工艺测试条件，我们显著推进了这一创新，并为其未来的应用铺平了道路。”

据悉，为了加速该技术的实际应用，研究团队在整个研发过程中与制造合作伙伴紧密合作。目前，流片验证已经完成，并取得了令人欣喜的早期成果。

复旦大学集成芯片与系统国家重点实验室研究员刘春森表示：“我们现在已经能够做出小规模、功能齐全的芯片，下一步就是把它集成到现有的智能手机和电脑中。这样，我们在手机和电脑上部署本地模型时，就不会再遇到现有存储技术带来的卡顿、发热等瓶颈问题。”

https://www.tomshardware.com/pc-components/storage/worlds-fastest-flash-memory-developed-writes-in-just-400-picoseconds

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