第一批2纳米光刻机，美国拿6台，ASML称：中国只配用低端技术

ASML是全球唯一生产极紫外光（EUV）光刻机的公司，其最新高数值孔径（High-NA）EUV设备（如Twinscan EXE:5000）专为2纳米及以下制程设计，每台造价约3.5亿美元。

这些庞然大物（重150吨，体积如两节火车车厢）是半导体行业的“圣杯”，用于生产尖端AI芯片和5G设备。ASML确实与美国客户如英特尔、台积电（TSMC）有密切合作，但首批6台送美国更像是网络传闻，而非官方披露。

至于“中国只配用低端”的说法，源自ASML高管的一些公开评论及其出口政策，2025年1月，ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）表示，中国在光刻技术上落后ASML“数年”，而首席执行官克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）曾称，由于美国和荷兰的出口管制，中国的半导体产业可能落后10至15年。

ASML受制于美国主导的贸易限制，无法向中国出口最先进的EUV光刻机，仅能提供较老旧的深紫外光（DUV）设备，用于7纳米及以上制程。2025年3月，荷兰政府进一步收紧出口规则，要求ASML对部分检测设备也需申请许可。

ASML为何如此举足轻重？

光刻机是半导体制造的核心，利用13.5纳米波长的EUV光，将复杂电路图案投射到硅片上。高NA EUV设备将光圈从0.33提升至0.55，大幅提高分辨率，满足2纳米制程需求。 这种技术让芯片能集成数百亿个晶体管，推动AI、量子计算和自动驾驶的飞跃。ASML控制全球90%以上的光刻机市场，EUV领域更是独家垄断，客户包括台积电、三星、英特尔等巨头。

2024年12月，日本初创公司Rapidus宣布将在2025年4月启动2纳米试产，使用的正是ASML的Twinscan NXE:3800E光刻机，计划2027年量产。 英特尔和台积电也计划2025年下半年量产2纳米芯片，显示ASML设备的全球分配以美、日、韩、台为主。中国企业如中芯国际（SMIC）受限只能使用DUV设备，通过多重曝光技术勉强生产7纳米芯片，但效率和成本远逊于EUV。

尽管面临封锁，中国并未坐以待毙，2025年3月，华为关联企业深圳SiCarrier被曝开发国产光刻设备，目标替代ASML的EUV机器。 哈尔滨创新科技团队开发出基于放电等离子体（LDP）的EUV光源，波长达13.5纳米，声称设计更简单、成本更低。

华为在东莞的试验设施计划2025年第三季度试产，2026年量产。 清华大学也在推进同步辐射EUV（SSMB-EUV）项目，试图建立大规模光源。

但是ASML的EUV技术依赖数十年的供应链整合和西方供应商的尖端组件，短期内难以复制，即便中国突破光源技术，光刻机的光学系统、掩模和软件仍需攻克。

现在看来美国通过出口管制，试图将中国隔离在低端技术板块，维持其在AI和芯片领域的霸权，2025年4月，美国加强对Nvidia H20芯片和ASML设备的限制，导致ASML订单不及预期，股价一度下跌7.6%。

荷兰虽不情愿，但迫于盟友压力，限制了ASML对华出口，2024年中国市场仍占其36.1%销售额，认为美国逼迫盟友牺牲经济利益，暴露了“美式同盟”的双重标准。