北京
金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管”的专利，公开号 CN 119789622 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一三维非掺GaN层；在所述第一三维非掺杂GaN层上交替生长第二三维非掺杂GaN层和InGaN层，得到超晶格层；在所述超晶格层上生长二维非掺GaN层得到非掺杂GaN层在所述非掺GaN层上依次生长N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，得到发光二极管外延片；其中，所述第一三维非掺GaN层的生长温度大于所述第二三维非掺GaN层。实施本发明，可降低发光二极管外延片的位错密度，提升发光效率。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币，实缴资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1459条，此外企业还拥有行政许可61个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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