北京
金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，湖南蓝芯微电子科技有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119789638 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。其技术方案为：包括衬底，衬底上依次设置有缓冲层、不掺杂的U‑GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层；其中，欧姆接触层包括依次设置在P型GaN层上的重掺Mg的PP层、P型掺杂InnGa1‑nN层和P型掺杂SnyInzGa1‑y‑zN层，n＝0.25‑0.55，y＝0.04‑0.25，z＝0.05‑0.18。本发明可以增加欧姆接触，降低工作电压，并有效增加空穴浓度，提升发光效率，增加抗静电能力。
天眼查资料显示，湖南蓝芯微电子科技有限公司，成立于2023年，位于娄底市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本111017.5万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南蓝芯微电子科技有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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