北京
金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，海世高半导体科技（苏州）有限公司申请一项名为“一种半导体湿法腐蚀的装置”的专利，公开号CN 119786392 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体湿法腐蚀的装置，具体涉及半导体制造技术领域，包括晶圆、腐蚀池和夹持件，且夹持件用于将晶圆定位浸泡在腐蚀池内部，所述晶圆的一侧固定有放置架，且放置架用于将夹持件在腐蚀池内取放；摆动组件，用于将晶圆在腐蚀池内反应所产生的温度携带走，并将晶圆在腐蚀池内摆动将其表面杂质抖落，所述摆动组件包括设置在夹持件和放置架之间用于连接的衔接环架及安装在夹持件上的定心柱；本发明通过摆动组件的设置，能够实现晶圆和夹持件在腐蚀池内保持摆动，使得晶圆和夹持件的摆动能够将其周围的腐蚀液保持流动，流动的腐蚀液可以帮助将这些热量和产物从晶圆表面带走，维持反应的稳定性和效率。
天眼查资料显示，海世高半导体科技（苏州）有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3260.9万人民币，实缴资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，海世高半导体科技（苏州）有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
