金融界2025年4月8日消息,国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法”的专利,公开号 CN 119767829 A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,本发明涉及一种隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法。上述隧穿氧化层的制备方法采用常压氧化生长二氧化硅,先在一定温度、气压的条件下通入氧气进行初步生长,再在维持温度、气压的条件下停止通入氧气,进行闷管工艺,减少管内气体流速不稳定导致二氧化硅生长不均匀的情况,使二氧化硅在更加静态的环境中继续生长一段时间,能够使得隧穿氧化层的厚度均匀化。步骤S2和步骤S3中工艺温度均维持在600℃‑620℃,有利于隧穿氧化层的稳定生长,避免工艺温度波动较大而使得隧穿氧化层的生长速率发生变化,避免由此导致的隧穿氧化层的厚度均匀性降低。
天眼查资料显示,横店集团东磁股份有限公司,成立于1999年,位于金华市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币,实缴资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析,横店集团东磁股份有限公司共对外投资了37家企业,参与招投标项目3263次,财产线索方面有商标信息215条,专利信息2465条,此外企业还拥有行政许可78个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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