北京
金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“存储器操作方法及存储芯片”的专利，公开号 CN 119763632 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供的存储器操作方法及存储芯片，方法包括：获得操作深度；其中，操作深度是在晶圆测试中确定的并存储在存储单元中；操作深度表征执行操作后存储单元的阈值电压变化水平；当执行操作时，使用操作深度进行深度校验，直到达 到操作深度。本发明可以先精准测试出存储芯片的操作深度，进而利用该操作深度指导实际的操作，实现精准控制操作效果的目的，能够避免存储单元阈值电压变得复杂不可控的问题。
天眼查资料显示，普冉半导体(上海)股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10560.9735万人民币，实缴资本2610.7884万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体(上海)股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息175条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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