北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有绝缘层的半导体封装体”的专利，公开号CN 119742284 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种具有绝缘层的半导体封装体。一种半导体封装体包含半导体Wafer(104)，所述半导体Wafer具有由所述半导体Wafer(104)的半导体区(106)间隔开的第一连接焊盘(116)和第二连接焊盘(118)。所述半导体Wafer(104)的部分由保护外涂层(108) 覆盖。所述半导体封装体还包含盖Wafer(112)，所述盖Wafer安装到所述半导体Wafer(104)且越过所述半导体Wafer(104)的所述半导体区(106)。所述盖Wafer(112)在所述半导体Wafer(104)的所述第一连接焊盘(116)与所述第二连接焊盘(118)之间延伸。所述半导体封装体进一步包含上覆于所述盖Wafer(112)的绝缘材料(122)。所述绝缘材料(122)包括通往所述第一连接焊盘(116)和所述第二连接焊盘(118)的通孔(114)，所述通孔填充有导电材料(120)。
本文源自：金融界
作者：情报员
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