北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，安徽华晟新材料有限公司申请一项名为“硅片双重吸杂方法、异质结电池片的制备方法”的专利，公开号CN 119742230 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种硅片双重吸杂方法、异质结电池片的制备方法，涉及异质结电池的技术领域，包括以下步骤：将原料硅片进行表面刻蚀形成缺陷，作为吸杂中心，依次进行热处理和磷扩散吸杂，得到衬底硅片；其中，表面刻蚀的方法包括化学腐蚀；化学腐蚀的腐蚀液包括HF、KOH以及NaOH中的至少一种。本发明采用“化学腐蚀+磷扩散吸杂”双重吸杂方法，以化学腐蚀形成的缺陷作为杂质捕获中心来吸除部分杂质，并为磷浆涂覆提供更大的表面接触面积，再通过磷扩散吸杂有效去除杂质，从而解决了现有技术中硅片吸杂效果不佳，残留较高金属杂质含量的技术问题，达到了杂质充分扩散和捕获、高效去除杂质、提升硅片少子寿命，以及工艺稳定性好的技术效果。
天眼查资料显示，安徽华晟新材料有限公司，成立于2022年，位于宣城市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本3000万人民币，实缴资本2989万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽华晟新材料有限公司参与招投标项目34次，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可9个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
