数十款国产设备亮相！加快摆脱EUV光刻机束缚，ASML很无奈！

导读：数十款国产设备亮相！加快摆脱EUV光刻机束缚，ASML很无奈！

在全球半导体产业的激烈竞争中，EUV光刻机一直被视为制霸高端芯片制造领域的“神器”。荷兰ASML公司凭借其在这一领域的垄断地位，长期掌控着全球芯片制造的命脉。然而，近年来，中国半导体产业的迅猛崛起，正在悄然改变这一格局。在上海国际半导体展（SEMICON China 2025）上，中国企业的亮眼表现，尤其是新凯来公司数十款国产半导体设备的亮相，让世界看到了中国正在摆脱EUV光刻机束缚的决心和实力。

SEMICON China 2025展会，无疑是中国半导体产业的一次华丽绽放。新凯来公司作为国产半导体设备的佼佼者，其展示的28nm浸没式光刻机SSA800i尤为引人注目。这款设备的工艺参数直追国际主流水平，不仅展示了中国在光刻机技术上的突破，更预示着中国半导体产业在高端芯片制造领域迈出了坚实的一步。而覆盖扩散、刻蚀、薄膜沉积等全流程的国产设备亮相，更是彰显了中国半导体产业链的完整性和竞争力。

在这场技术盛宴中，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）光源技术突破，无疑为中国光刻机的突围注入了强劲动力。这项技术摒弃了沿用40年的氟化氩气体激发方案，采用了全新的Yb:YAG晶体生成基频光，再通过四次谐波转换生成紫外光。这一创新不仅让设备体积更小、能耗更低，更首创了193nm涡旋光束，为多重曝光工艺提供了全新路径。这不仅是技术的革新，更是中国工程师智慧和勇气的体现。

面对EUV光刻机的技术壁垒，中国并没有选择随波逐流，而是走上了一条颠覆性的技术路线。哈尔滨工业大学联合中科院研发的激光诱导放电等离子体（LDP）技术，正是这条路上的璀璨明珠。与ASML依赖的激光诱导等离子体（LPP）方案不同，LDP技术通过电极间高压放电激发锡蒸气产生极紫外光，不仅简化了设备结构，还大幅提高了能源效率和降低了设备成本。更重要的是，这一技术完全规避了ASML的专利封锁，为中国在EUV领域实现自主可控奠定了坚实基础。

据TechPowerUp披露，搭载LDP光源的工程样机已在东莞进入测试阶段，计划2025年三季度试产，2026年实现量产。这一消息无疑给全球半导体产业带来了巨大震撼。中国不仅在DUV领域取得了突破，更在EUV领域迈出了坚实步伐，这标志着中国半导体产业正在加速摆脱对外依赖，走向自主可控的崭新阶段。

中国半导体设备的国产化率正在快速提升。从2013年的4.38%到2023年的17.57%，这一数据的变化见证了中国半导体产业的蓬勃发展。而光刻机相关专利数量在五年内的300%增长，更是彰显了中国在光刻机技术领域的创新活力和潜力。这些数据的背后，是中国工程师的辛勤付出和无私奉献，是中国对半导体产业的大力支持和持续投入。

ASML或许未曾料到，中国工程师会用“固态激光+涡旋光束”的组合拳打破行业定式，更未曾料到中国在EUV领域会选择一条如此颠覆性的技术路线。面对中国半导体产业的崛起，ASML正紧急调整策略，试图通过出口DUV设备延缓中国自主替代进程。然而，一个不容忽视的事实是，中国半导体产业已经走上了快速发展的快车道，任何外部力量都无法阻挡其前进的步伐。

展望未来，中国半导体产业将继续秉持创新、自主、可控的发展理念，不断突破技术壁垒，提升产业竞争力。在光刻机领域，中国将继续加大研发投入，推动技术创新和产业升级，努力实现EUV光刻机的自主可控和量产。同时，中国还将加强与国际同行的交流与合作，共同推动全球半导体产业的健康发展。

中国半导体产业的崛起，不仅是中国科技进步的象征，更是全球科技格局变化的重要标志。摆脱ASML光刻机也是必然的，虽然ASML很无奈，但我们依然会加快国产替代化的步伐！