广东
2025年3月26日，SEMICON China 2025展会在上海隆重开幕，中国半导体薄膜沉积设备龙头企业拓荆科技（688072）于展会首日重磅推出以“拓芯章·见未来”为主题的新品发布会。ALD系列、3D-IC及先进封装系列和CVD系列三大产品矩阵首次集体亮相，全面展现了公司在半导体薄膜沉积与先进封装领域的技术突破与产业化成果。
新品矩阵，赋能智造未来
ALD系列：新一代原子层沉积设备VS-300T凭借业界坪效比最高和拥有成本(CoO)最低的优势，进一步巩固了拓荆在国内ALD市场装机量及工艺覆盖率双第一的地位。
3D-IC及先进封装系列：拓荆首次完整发布低应力熔融键合设备Dione 300F、混合键合设备Pleione等四款产品，实现国产键合设备从“单点突破”到“全链条覆盖”的跨越。
CVD系列：高性价比平台PF-300M通过整合工艺模块与提升厚膜产能，有效提升客户生产效率，彰显拓荆在产业化应用上的硬实力。
现场嘉宾纷纷表示，拓荆科技的技术突破是国内半导体设备自主研发的新征程，更为半导体产业链注入创新力量。
创新驱动，持续强化自主研发能力
拓荆科技持续深化自主研发，突破多项核心技术壁垒。公司自主研发的离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备、超高深宽比沟槽填充（Flowable CVD）设备等系列的应用覆盖面及量产规模不断提升。应用于3D-IC及先进封装领域的晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备已实现产业化应用，多项技术指标达到国际先进水平。
战略升级，助力中国半导体“破局”
当前，全球半导体产业竞争加剧，技术自主化成为关键命题。拓荆科技以“双轮驱动”战略——对内强化自主创新，对外深化国际竞合，持续打破技术壁垒。2023-2024年，拓荆CVD事业部已推出10款新品，3D-IC方面国产键合设备装机量稳居国产第一，ALD设备更成为国内大厂优选。此次发布会不仅彰显了拓荆的硬核技术实力，更标志着中国半导体设备企业从“跟随者”向“领跑者”的角色蜕变。
一路走来，拓荆科技依托自身的研发实力，持续保持高研发投入，不断拓展新工艺，与国内外伙伴共同维护产业链稳定性，逐步扩大半导体产业布局，致力于建立先进的半导体设备公司。
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