北京
金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种双腔室碳化硅晶体生长装置及生长方法”的专利，公开号CN 119685934 A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示， 本发明提供了一种双腔室碳化硅晶体生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述双腔室碳化硅晶体生长装置包括主腔室、第一压力调节模块与第二压力调节模块；主腔室内设置有内坩埚，内坩埚的内部设置有多孔阻隔层，以将其分隔为生长区与料源区；生长区内设置有籽晶，料源区内装填有生长原料；料源区内还设置有内膛室；第一压力调节模块连通主腔室，第二压力调节模块通过压力导管连通内腔室；内坩埚的外周套设有外坩埚，外坩埚内设置有发热体，发热体位于所述内坩埚的下方；主腔室的外部设置有第一加热组件与第二加热组件。本发明通过调节主腔室与内腔室的压力差，解决了大尺寸碳化硅晶体生长过程中形成碳包裹的问题。
天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币，实缴资本785.7101万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可17个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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