北京
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近日，中建一局承建的武汉长飞先进半导体基地项目幕墙工程全面完工，进入室内精装修及设备安装阶段。
项目位于湖北省武汉市，总建筑面积约30.15万平方米，包括芯片厂房、封装厂房等设施。项目投产后，预计年产36万片碳化硅晶圆及外延6100万个功率器件模块，为高端制造业等多领域提供核心部件。此举将推动区域经济发展，助力湖北加快建成具有全球影响力的科技创新高地，对促进城市能源需求结构转变和可持续发展具有重要意义。（中建一局供稿）
(中国建筑)
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