北京
金融界2025年3月24日消息，国家知识产权局信息显示，常州元晶摩尔微电子有限公司申请一项名为“一种高选择性低侧向腐蚀的PZT压电薄膜湿法刻蚀液”的专利，公开号 CN 119662258 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明属于半导体加工制造技术领域，提供了一种高选择性低侧向腐蚀的PZT压电薄膜湿法刻蚀液，包含下列步骤：将氟硼酸溶液、盐酸溶液、硝酸溶液和水混合至温度稳定，即得所述PZT压电薄膜湿法刻蚀液。本发明所得到的刻蚀液可实现整面完全无残留的PZT刻蚀；本发明得到的刻蚀液侧向腐蚀低，且通过不同的刻蚀操作如浸泡‑漂洗循环与旋转喷射，可以实现高精度的刻蚀，且刻蚀后侧壁角度为接近45°的正梯形，便于后续半导体加工工艺的进行；本发明中的刻蚀液对于PZT的底电极Pt、光刻胶具有良好的选择性，可以实际应用于半导体器件的加工制造中。
天眼查资料显示，常州元晶摩尔微电子有限公司，成立于2017年，位于常州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1100万人民币，实缴资本715万人民币。通过天眼查大数据分析，常州元晶摩尔微电子有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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