北京
金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，中钧科技（深圳）有限公司申请一项名为“一种半导体芯片的焊接方法及装置”的专利，公开号 CN 119650482 A，申请日期为 2025年2月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体芯片的焊接方法及装置，其中，半导体芯片的焊接方法包括：对多层堆叠封装进行热场扫描，获得整体热成像数据，生成包含多个独立热控分区的热场分区示意图；对各独立热控分区进行脉冲式回流升温处理，获得实时温度数据；进行实时熔融态检测，获得表面形貌数据和温度分布数据；对处于降温阶段的独立热控分区进行气氛切换处理，生成气氛切换分区；对气氛切换分区进行微周期稳态检测，对存在异常的气氛切换分区进行局部再加热处理，生成再加热分区；对再加热分区进行动态冷却处理。本发明技术方案通过分区式脉冲回流与实时监测相结合，对多层堆叠封装中的焊点熔融状态进行精确控制，有效防止了非完全回流缺陷的产生。
天眼查资料显示，中钧科技（深圳）有限公司，成立于2001年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万港元，实缴资本9481.03万港元。通过天眼查大数据分析，中钧科技（深圳）有限公司专利信息39条，此外企业还拥有行政许可9个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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