北京
金融界2025年3月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“器件沟道退化监测电路及芯片”的专利，公开号CN 119644105 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种器件沟道退化监测电路及芯片。该电路包括退化环形振荡器，退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器；退化反相器中第一晶体管为高压功率晶体管，第一晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第二晶体管的漏极相连，第二晶体管的栅极连接第二输入端，第二晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接第二输出端。克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片无法监测高压电路及芯片的缺陷，本发明能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，并克服了目前仅对芯片做初始出厂时老化可靠性预测，无法预警高压电源、隔离芯片随着工作时间、实时动态经时老化监测的难题。
天眼查资料显示，北京智芯微电子科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本641018.943287万人民币，实缴资本641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智芯微电子科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目3505次，财产线索方面有商标信息125条，专利信息2777条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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