北京
金融界2025年3月17日消息，国家知识产权局信息显示，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法”的专利，公开号 CN 119615356 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，包括以下阶段：S100、第一阶段去除氧化物，将外延腔内温度升高至预设温度，并通入氢气，以去除硅表面氧化物；S200、第二阶段溶解杂质，向外延腔内通入氯化氢气体，以溶解腔体内的金属杂质及部分杂质；S300、第三阶段清洁，向外延腔内充入氢气，并通过尾气处理装置对外延腔内进行抽气处理，去除腔体内的反应物和杂质，通过实时监控外延腔内的压力并利用抽气泵调节抽气速率，确保外延腔内的压力达到交换腔压力的1.2倍防止颗粒迁移且采用逐步升温的方式确保硅片表面氧化物完全去除，并将热应力控制在预设范围以内，避免因温差引起的颗粒生成。
天眼查资料显示，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本250000万人民币，实缴资本250000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目13次，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可15个。
本文源自金融界
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