重塑存储行业格局 MemoryS 2025大会记录

3月12日，CFMS｜MemoryS 2025大会于深圳宝安前海/JW万豪酒店盛大开幕。本次行业盛会以“存储格局、价值重塑”为主题，吸引到来自全球数十家存储领域的领先企业、品牌的参与。眼下，受到国际市场剧烈变动，存储需求变化等方面的影响，整个行业都受到了前所未有的挑战。然而在本次的存储峰会中，头部企业仍坚持以新技术，新产品打开局面。可见，能够为用户创造更大的价值，并积极推动产业升级的企业，才能化危机为时机。

闪迪

这几年，AI应用的需求日盛，相应的行业解决方案层出不穷，这也对企业级存储产品或设备提出了新的要求。在本次MemoryS 2025大会上，闪迪（SANDISK）给我们带来了全新的UFS 4.1存储解决方案——iNAND MC EU711嵌入式闪存驱动器。这款产品将于今年（2025）4月上市，符合JEDEC（固态技术协会，全球微电子行业标准领导机构）规范。这款产品优势颇多，首先它基于BiCS6架构的162层3D TLC NAND闪存（堆叠层数业内领先），最高容量1TB；其顺序读取速度可达4000MB/s，写入则达到了3000MB/s。不仅如此，它的功耗也大幅降低。

性能有保证，那么iNAND MC EU711的安全性，稳定性如何呢？闪迪针对企业用户的需要，为其提供了Advanced RPMB隐私加密功能；增强了热能效管理和保护，既要性能优秀更要温度可控；文件管理方面，支持多种碎片管理技术。综上这些技术的应用，使得这款新品可为用户提供稳定持久的工作环境。

江波龙

近几年，江波龙在半导体，特别是存储领域的发展有目共睹。我们可能更熟悉的是其旗下雷克沙的存储产品。而事实上，江波龙不断增强自主研发实力，从eMMC主控、SD主控，到最新的UFS主控和USB主控，已经完成了核心IP自主设计。一方面，江波龙可为用户提供客制化产品和解决方案；另一方面，自主可控也为品牌自身创立了宽广的护城河，在市场变动的时候能更灵活调配资源，随机而动，推出更合适的产品。

针对全新的UFS 4.1规范，江波龙推出了WM7400自研主控。它可支持TLC和QLC等NAND Flash，最高读取速度可达4300MB/s，容量可达2TB。该产品可应用于广泛的行业中，特别是针对AI的应用市场。当然，它也可以用于移动终端、智能汽车，机器人等领域。今年内即将推出的新品手机，平板，新能源汽车，就很有可能采用了江波龙的存储解决方案。

雷克沙

近期，小E体验了来自雷克沙的“纯金属”SD卡，这款“摔不烂，泡不坏，速度快”的存储卡将是野生，生态，运动摄影师的好助力。而在本次闪存峰会上，雷克沙展出了更多使用江波龙自研主控的存储新品。其中，搭载江波龙WM3000主控的雷克沙NFC加密移动固态硬盘，就吸引到不少现场摄影师驻足了解。

在我们的视频拍摄流程中，经常会使用PSSD进行素材的流转、备份和暂存。因为出差丢失PSSD，因为拍摄现场人员混杂等原因，PSSD中的数据安全其实很难保证。一来这些产品少有加密，二来传统加密手法也比较麻烦，简答来说不好用。而雷克沙这款新品采用支付宝碰一碰同级的安全系统和便捷轻松的使用方式。通过如今各个手机几乎都支持的NFC技术，一碰“秒开”（解锁认证）。当手机与硬盘“断联”后，该PSSD就立刻进入隐藏模式，外人无法获得哪怕1bit的数据。这样，即便不慎丢失或别人拿走，也不用担心隐私和文件安全。

铠侠

2月，铠侠在旧金山举办的国际固态电路会议上，铠侠发布了下一代（第十代）3D闪存技术。它将NAND的接口速度直接提升至4.8Gb/s。该产品的3D堆叠层数可高达332，位密度提升59%。不仅如此，它的输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。采用该技术的生产的SSD将为AI，企业级存储的发展推向新的高度。同时，采用第九代3D闪存技术的产品也将很快与我们见面。

以此为背景，在3月12日的闪存峰会上，铠侠技术执行官柳茂知先生（Shigenori Yanagi）以《后AI时代下的SSD市场愿景与关键技术》 为主题进行了演讲。他不仅展示了铠侠在闪存领域的领先技术、前瞻性理念，更向所有与会人员展现了3D NAND技术的美好前景。

铠侠同样在闪存峰会上展示了诸多新品、主流产品。其中包括面向数据中心的混合用途SSD——CD8P系列，它支持PCIe 5.0规范，接口速度可达128GT/s，并兼顾了使用成本与性能需要。全新的铠侠XD8系列，专为超大规模数据中心服务器或存储系统而设计，它基于EDSFF规范（下一代企业级存储产品形态及技术规格）进行设计，可视作“未来已来”的存储解决方案。以及铠侠基于第八代BiCS FLASH QLC技术推出的存储产品，它将为行业用户带来更为稳定，耐久的工作能力；同时采购，使用和维护成本更低。

长江存储

闪存峰会2025前后，长江存储的喜讯不断。大会中，长江存储首次展示了基于晶栈（Xtacking）4.0 TLC技术的新品X4-9060，其I/O速度可达3600MT/s，密度提升48%，单颗粒容量可达512Gb。晶栈4.0 QLC新品则为X4-6080，密度提升42%，单颗粒容量可达2Tb，I/O速度提升50%以上，吞吐量提升147%。针对个人用户，长江存储的新品可支持单条容量最大8TB，PCIe 4.0几乎满速读写性能，同时功耗更低；PCIe 5.0版本的读写更是高

达14000/12000MB/s。

三星

三星电子软件开发团队执行副总裁吴文旭（Moonwook Oh）先生在现场，为大家带来“人工智能浪潮：重塑存储与内存的新需求格局”主题演讲，深度剖析了先进存储技术对于推动AI加速部署的重要性。同时，三星也在现场展示了16通用PCIe 5.0 SSD——PMI1753，它被誉为“当前三星最快的SSD”，专为AI应用提供支持。三星CMM-H基于PCIe 5.0的CXL接口，采用CXL DRAM于NAND混合解决方案。以及采用TSV技术的海量DIMM内存，最高可达256GB。

三星在之前展示了即将发售的第十代V-NAND闪存，总层数可能达到420层左右，接口速度快至5.6Gb/s。而该产品将应用长江存储的芯片技术，可谓是强强联合，令人瞩目。

纵观本次闪存峰会，无论市场压力多大，竞争多么激烈，来自于源头厂商的热情却丝毫不减。从个人电子消费品，到企业级数据中心，各类存储新品或解决方案层出不穷。无论国内外存储品牌，都首先在技术上“一争高下”，纷纷推出自主研发的新品，或应用了新技术的解决方案。这让我们对未来的存储市场充满信心，也对基于各类新技术而构建的智能化应用，AI工具，数字化赋能充满期待。