盛美上海单晶圆高温SPM设备通过验证

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，于今日宣布其单晶圆中/高温硫酸过氧化混合物（SPM）设备已成功通过一家逻辑芯片制造商的大批量制造验证。

截止目前，该设备已交付了13家客户。该系统采用盛美上海全新的专有喷嘴设计以消除SPM工艺中的酸雾飞溅问题，有助于提高颗粒控制能力并减少腔体的清洗维护频率，从而延长设备的正常运行时间（uptime）。该系统能够应对28纳米及以下节点前道与后道工艺中晶圆所需的多种湿蚀刻与清洗工艺。

盛美上海董事长王晖博士表示：“作为盛美上海持续创新的典范，单晶圆中/高温SPM设备可有效解决客户在大批量300毫米半导体制造方面所遇到的挑战。我们已然看到该设备在全球范围内获得广泛认可。单晶圆中/高温SPM设备在在晶圆清洗设备市场中的所占份额不断增长，尤其是单晶圆高温SPM设备，下一代半导体器件生产中扮演至关重要的角色。”

盛美上海的单晶圆中/高温SPM设备能够应对前道与后道工艺中晶圆所需的多种湿蚀刻与清洗工艺，包括中低温硫酸90℃清洗处理工艺、高温硫酸170℃光刻胶（PR）去除工艺，以及超高温硫酸190℃金属剥离工艺。随着半导体工艺节点的不断推进，对单片高温硫酸工艺的需求显著增长。这一趋势对颗粒管控、腔室氛围管理以及硫酸温度稳定性提出了更为严格的要求。盛美上海在单晶圆中/高温SPM设备中引入了创新设计，为满足更加严苛的需求做好了充分准备。

该设备集成的盛美上海专利技术包括：

• 多级加热方式 — 可确保最高混合温度达到230℃以上并实现稳定控制。
• 专有SPM喷嘴设计 — 可防止SPM飞溅到腔体以外，以显著提升颗粒控制能力，使得26纳米尺度下的平均颗粒数控制在10颗以内。

单晶圆中/高温SPM设备腔体配备化学内联混合（CIM）系统，可支持各种化学品的配置。该腔体还可与盛美上海的专利空间交变相位移（SAPS）和时序能激气穴震荡（TEBO）超声波技术搭配使用，以提升晶圆清洗效果。

盛美上海单晶圆中/高温SPM设备功能和规格

盛美上海单晶圆中/高温SPM设备适用于多种湿蚀刻和单面或双面清洗工艺，并支持多种化学品和清洗工艺。相较于大多数后清洗和光刻胶湿法工艺，该设备在去除有机缺陷的同时，能够显著减少薄膜的损失。该设备主要用于处理150毫米至300毫米晶圆，配备四个装载端口、8至12个腔体、一个多功能化学品分配系统以及腔体自清洗功能。