美光首家推出采用EUV技术的1γ DDR5 DRAM芯片

美光科技宣布已开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货1γ（1-gamma）16Gbit DDR5 DRAM芯片。

美光声称，它是第一个采用1-gamma（1γ）节点的公司，该节点指的是DRAM工艺技术的第六代，最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM，他们放弃了纳米测量，转而采用1x、1y、1z，现在是1α、1β和1γ。

得益于美光此前在1α和 1β DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如 AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。同时，通过在全球各制造基地开发1γ节点，美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

美光的1γ 16Gbit DDR5 DRAM旨在提供高达9200MT/s的速度能力，与其前代产品（采用1β技术实现的16Gbit DDR5）相比，速度提高15%，功耗降低20%以上。

与上一代相比，1γ节点EUV技术使得晶圆容量密度产出提升30%，这提高了美光的经济效益，但与1β节点不同，它确实需要使用极紫外（EUV）光刻技术，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征。该内存还包括下一代高K金属栅极CMOS技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

美光执行副总裁暨首席技术与产品官Scott DeBoer表示：“美光凭借开发专有DRAM技术的专长，结合对EUV光刻技术的战略运用，打造出基于1γ节点的先进内存产品组合，助力推动AI生态系统发展。1γ DRAM节点实现了更高的容量密度产出，彰显了美光卓越的制造实力和效率，并使我们能够扩大内存供应的规模，满足行业日益增长的需求。”

美光计划在其整个DRAM系列中引入1γ。这包括：用于数据中心的DDR5，用于边缘AI的低功耗DRAM，用于AI PC的DDR5 SODIMM，用于移动产品和汽车的LPDDR5X。

美光表示，客户AMD和英特尔已经开始验证1γ DRAM在其服务器和消费处理器中的使用情况。（校对/赵月）