北京
金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用”的专利，公开号CN 119492968 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体的技术领域，公开了一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用。测试方法包括：对N型衬底进行霍尔测试得到N型衬底的载流子浓度n与迁移率μn；N型衬底上掺杂P型离子，形成P‑on‑N结构样品，对样品进行霍尔测试，测得霍尔系数Rh、电阻率ρ；腐蚀液腐蚀P‑on N结构样品形成斜台面测量腐蚀深度h 利用IV曲线确定结深，得到P层厚度dp与N型层厚度dn；代入计算公式，得到P型载流子浓度p与P型载流子迁移率μp。本发明的PN结材料测试方法，能有效测试电子、空穴的双极性载流子浓度与迁移率，测试方法简单，误差较小，能有效解决载流子测量不准确无法测出P型浓度，测试过程繁琐等问题。
天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10869.5652万人民币，实缴资本10869.5652万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，知识产权方面有商标信息3条，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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