北京
金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种腐蚀性气体的密封阀及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN 119491939 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种腐蚀性气体的密封阀及一种薄膜沉积设备。该腐蚀性气体的密封阀包括：阀座，包括流通所述腐蚀性气体的通气管路，其中，所述通气管路的两端分别设有进气口和出气口，而其中部设有包围所述通气管路的密封部，所述密封部设有至少一圈包围所述通气管路的第一凹槽和/或第一凸缘；以及阀板，包括朝向所述密封部的密封面，所述密封面上设有至少一圈包围所述通气管路的第二凸缘和/或第二凹槽，其中，所述第二凸缘在所述阀板靠近所述阀座时无接触地伸入所述第一凹槽，和/或所述第二凹槽在所述阀板靠近所述阀座时无接触地包覆所述第一凸缘，以阻断所述腐蚀性气体在所述进气口和所述出气口之间的流动。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可10个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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