北京
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据韩国媒体报道，三星电子半导体部门（DS）负责人全永鉉（Young Hyun Jun）上周亲自前往美国英伟达总部，展示了三星最新改良的1b DRAM样品。
英伟达曾在2024年要求三星改进1b DRAM的设计，以解决良品率和过热问题，此次全永鉉展示的样品正是基于英伟达的要求而进行的改良成果。
通常情况下，三星DS部门负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见，这也表明此次访问的重要性。
三星原本计划使用1a DRAM（1b DRAM的前代产品）制造8层和12层HBM3E，并跳过1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4。
然而英伟达坚持要求使用1b DRAM，三星不得不重新调整计划，目前三星的竞争对手SK海力士已经向英伟达供应了12层HBM3E，美光也预计近期开始生产面向AI加速器的HBM。
上个月，三星表示其改良版HBM3E的准备工作进展顺利，并计划于今年第二季度正式量产供货，全永鉉作为DRAM领域的专家，主导了1b DRAM的设计改进工作。
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